1Q26 营收 52.6 万亿、营业利润 37.6 万亿、利润率 72%;2Q26 再创纪录但低于预期。DRAM 位价一季度涨 60%,HBM 占 DRAM 营收六成,净现金目标一年内从 1 万亿到 100 万亿。
HBM3E 份额约 70%;HBM4 三家都拿到英伟达资格,专家给 43:35:25 到 40:40:20,卖方给 62:21:17。长协锁价把 HBM 单价波动压到个位数,2Q 的“未达预期”正是这个结构的第一次显形。
FY26E EPS 增速 +508%、FY27E +34%:市场用 4 倍给的不是便宜,是对 2027–28 见顶的折价。目标价光谱 ₩2.6M 到 ₩4.7M,共识 ₩3.28M,全部在现价之上。
| 问题 | 看什么 | |
|---|---|---|
| 01 | 它是什么 | HBM 原理、二十年周期史、产品矩阵、长协客户 |
| 02 | 为什么是现在 | DRAM 涨价、HBM4 定价、长协转型、ADR 上市 |
| 03 | 财务与产能 | 季度轨迹、资本开支、产能地图、净现金与回报 |
| 04 | 竞争与 HBM 格局 | 三星 / 美光对位、份额口径、长鑫长存、供需缺口 |
| 05 | 卖方与估值 | 目标价追涨、卖方分歧、前瞻 PE、情景估值 |
| 06 | 风险、判断与盯盘 | 十个风险、2026 时间线、专家层(106 篇 call 穷举 · 说法演变 · 翻转)、决策卡、催化剂 |
DRAM(含 HBM)占营收约八成;NAND 通过 2020 年 90 亿美元收购的英特尔 NAND 业务(Solidigm)做到企业级 SSD 前列。HBM 占 DRAM 营收 62%(4Q25)。
HBM3 独供 H100,HBM3E 份额约 70%,HBM4 于 2025 年 10 月率先交付可用样品、HBM4E 于 2026 年 6 月送样。差异化在 MR-MUF 封装与良率。
2026 年起与约 10 家客户签长期协议,顶级客户约七成采购量走长协。美系云厂商 DRAM 供给满足率超过 80%,中国客户 40–70%。
本轮同时踩中商品 DRAM 涨价(周期)与 HBM 定价权(结构)。1Q26 营业利润率 72%,是存储史上最高的一个季度。
清州 M15X 由 1b 改建 1c;ASML 约 30 台 Low-NA EUV 订单约 12 万亿韩元(2026–27)
12-Hi HBM4 用批量回流模塑底填,良率与散热是海力士对三星的代际优势;TC 本德由本土设备商主供
HBM4 起基底晶片走先进逻辑工艺,三星以垂直一体化为卖点,海力士与代工厂合作
Rubin 平台配 HBM4 12-Hi;HBM 消耗行业 25–26% 的 DRAM 晶圆,是商品 DRAM 涨价的供给侧原因
流动性危机:大摩低配,目标价从 25,000 砍到 6,500 韩元;NAND 减产、增发稀释
SK 集团接手更名;尔必达破产利好韩系;2013 年 9 月无锡厂火灾,DRAM 合约价涨 4–8%
DRAM 超级周期,目标价 48,000 到 82,000;2018 年 8 月大摩重启覆盖即低配“最不看好的全球半导体”
90 亿美元收购英特尔 NAND;2022–23 库存周期巨亏;2023 年 HBM3 独供 H100,AI 拐点
3Q25 单季营业利润首破 10 万亿;2026 年 1 月股价破百万韩元;1Q26 利润率 72%;7 月 ADR 上市募资 282 亿美元
本地券商下调 2Q 利润率至 65% 触发韩股杠杆去化,单日最大跌幅;股价从 292 万回落到 180 万韩元一线
HBM3E 8/12-Hi 为 2025 主力;HBM4 12-Hi 2026 下半年放量供 Rubin,单价约 560 美元、较 HBM3E 高五成;HBM4E 2027 量产。
2Q26 合约价涨 58–63%;192GB SOCAMM2 于 2026-04-21 为 Vera Rubin 量产;3Q26 涨幅预期收窄至 13–18%。
Solidigm 企业级 QLC SSD 领先;375 层于清州 M15 2026 年底量产;大连二厂重启 +50k 片/月,2027 上半年投产。
产能向服务器倾斜带动 PC DRAM 涨价;消费电子需求 2026 年萎缩 6–10%,是周期里被牺牲的一端。
出货量反而 -10%:量没变、价翻倍。2Q 传统 DRAM 合约 +58–63%。管理层称现货回落是暂时的,客户在“保供不比价”。
2025 年 11 月与英伟达谈定,较 HBM3E 高 50% 以上。HBM 2026 年出货 +60–70%;但 2027 年价格约 2 倍而非 3 倍,长协封住了上限。
2026-07-10 纳斯达克挂牌,美股史上最大外国 IPO;资金投向清州 M15X 与 HBM 封装。转换上限 2.5% 用尽,ADR 溢价一度 51%。
九个季度增长后,2018-10 进入下行;大摩质疑“纪律性资本开支”叙事
HBM 从 2024 年起按年度锁量,商品 DRAM 仍随行就市
野村“长协论”给出 234 万目标价;高盛把周期终点推到 2028;摩根大通称龙仁投资是增量而非过度投资
摩根大通 8 月口径;ThirdBridge 前高管提示 2028 供过于求风险;行业晶圆产能增速 2028 年超过 10%
| 事项 | 内容 |
|---|---|
| 用途 | 清州 M15X 晶圆厂、P&T7 HBM 先进封装(渠道称 HBM 线翻倍至 8 万片/月,待复核) |
| 认购 | 超额认购、提前关簿;大摩预期 ADR 占成交 10–20% |
| 溢价 | 转换上限 2.5% 用尽后 ADR 溢价升至 51%(7/24);瑞银建议买 ADR 卖本地 |
| 卖方 | 汇丰首评 400 万韩元以 ADR 溢价为论据;摩根大通 9/11 首评 ADR 超配 245 美元;瑞银 ADR 210 美元 |
| 市场 | 上市三天后本地券商下调 2Q 利润率,韩股杠杆 ETF 强平,单日最大跌幅 |
| 季度 | 营收(万亿) | 营业利润(万亿) | 利润率 | 看点 |
|---|---|---|---|---|
| 3Q25 | 24.5 | 11.4 | 47% | 单季营业利润首破 10 万亿;毛利率 57% |
| 4Q25 | 32.8 | 19.2 | 59% | HBM 占 DRAM 营收 62%;HBM3E 涨价 20% |
| 1Q26 | 52.6 | 37.6 | 72% | +60% q/q、+198% y/y;DRAM 位价 +60%、NAND +75%;铠侠重估收益抬高净利 |
| 2Q26 | ~80(汇丰预期) | ~65 → 本地券商下调 | ~65% | 创纪录但低于预期:HBM3E 占比高、长协锁价;约 10 家客户长协 |
| 3Q26E | 待复核 | 待复核 | — | 10 月 29 日财报;HBM4 放量改善均价;服务器 DRAM 合约 +13–18% |
| 项目 | 规模 | 时间 | 语料口径 |
|---|---|---|---|
| 龙仁集群一期(2–6 阶段) | 21.6 万亿 | 2026-03 → 2030-12 | 摩根大通:增量、非过度投资 |
| 龙仁二期 + 清州 M17 | 35.2 + 19.1 万亿 | 至 2031 | 2026-08-07 公告,“54 万亿两座新厂” |
| 清州 M15X | ADR 资金主要去向 | 2H26 爬坡 | 由 1b 改建 1c DRAM(2026-05) |
| ASML EUV | 约 12 万亿(79.7 亿美元) | 2026–27 | 约 30 台 Low-NA |
| 印第安纳先进封装 | 洁净室 2028-10 | 2026-08-27 动工 | 管理层:短缺持续到 2030 年底 |
| 大连 NAND 二厂重启 | +50k 片/月(+50%) | 设备 2026 底、投产 1H27 | 沿用一厂同代设备 |
| HBM 产能 | +约 30%(2026) | — | 渠道称翻倍至 8 万片/月,待复核 |
HBM3E/HBM4 生产与封装核心;TC 本德订单 430 亿韩元
M15X 为 1c DRAM 新厂(ADR 资金);375 层 NAND 在 M15;M17 19.1 万亿规划
2027 起分期投产;二期 35.2 万亿至 2031;韩国政府十年投资框架
大连为原英特尔厂,二厂重启 +50%;受美国对华设备许可约束
2026-08 动工,2028-10 洁净室;渠道称正评估英特尔俄亥俄场地(待复核)
| 事项 | 内容 |
|---|---|
| 利润分配 | 年度营业利润的 10% 作员工奖金(高盛 1Q26 点评) |
| 股东回报 | 2026-08-19 宣布 40 万亿韩元回购注销(约 3.3% 股本,11 月 19 日前完成);2025–27 回报目标改为“至少三年累计 FCF 的 50%”,细节 10 月下旬 |
| 铠侠股权 | 1Q26 重估收益抬高净利润;2Q 营业利润增速放缓但净利强劲(金额待复核) |
| ADR 现金 | 282 亿美元全部投向产能,不用于回报 |
| 对照 | 2018 年顶部:新资本开支 + 回购,被评“限制 FCF” |
| 代际 / 口径 | 海力士 | 三星 | 美光 | 来源 |
|---|---|---|---|---|
| HBM3(H100 世代,2023) | 接近独供 | — | — | 2023 年语料 |
| HBM3E(2025) | 约 70% | 约 10–15% | 约 20% | 多源 |
| HBM 营收份额 4Q25 | 57% | — | — | 2026-02 卖方 |
| HBM4 2026E(Acecamp 07-31) | 43% | 35% | 25% | 专家电话 |
| HBM4(CapVision 08-20) | 40% | 40% | 20% | 专家电话:三星追平 |
| HBM4(2026-07 卖方) | 62% | 17% | 21% | 卖方 |
| HBM bit 份额(瑞银 04-08) | 51%(26E)/ 44%(27E) | — | — | 瑞银 |
渠道单源:三星 HBM4 进度最快,海力士被要求重新设计(公司口径相反)
GTC 上三星公布 HBM4 规划;海力士率先完成 HBM4 送样
三星获 NVIDIA HBM4 认证(时间待复核);6 月单月三星 HBM 出口首次超过海力士
三星 HBM 收入环比 +89% 至 67 亿美元;华泰:三星有望升至全球第二
三星 HBM4E;海力士 HBM4E 2027 年量产;下一轮之争在定制基底
HBM3E 约 20%,HBM4 按客户分配 20–25%;FY26 毛利率超 80%,是海力士估值最直接的对照(前瞻 PE 约两倍于海力士)
武汉一、二厂满产 20 万片/月,三厂 2027 年;EUV 落后 2–3 年,HBM 尚不构成威胁,但商品 DRAM 的价格弹性会先受它压制
2Q26 NAND 位出货首次超过铠侠(Counterpoint);三厂扩至 10 万片/月(2027 年底);对海力士 NAND(含 Solidigm)是直接压力
| 时点 | 商品 DRAM | HBM | 看点 |
|---|---|---|---|
| 2025-12 | — | HBM3E +20%(H200 对华) | HBM 价格第一次在代际内上调 |
| 1Q26 | 同比 +40% 以上(华泰) | 2026 全年 +60–70% | DRAM 位价 +60%、NAND +75%(公司) |
| 2Q26 | 合约 +58–63%;现货 +60% | 季度价格个位数波动 | Semianalysis:综合均价 +45% q/q,DRAM 营业利润约 55 万亿 |
| 3Q26 | 服务器 DRAM 合约 +13–18% | HBM4 均价约 560 美元(+50%) | 涨幅收窄但绝对价仍升;伯恩斯坦称 HBM4 均价持平至下降 |
| 2027E | 2027 年长协价谈判 4Q26 启动 | 约 2 倍而非 3 倍(ThirdBridge) | 2027 HBM 价格 2x vs 3x 是卖方最大分歧 |
| 环节 | 供应方 | 规模 / 口径 | 对海力士的意义 |
|---|---|---|---|
| EUV 光刻 | ASML | 约 30 台 Low-NA,约 12 万亿韩元(2026–27) | 1c DRAM 与龙仁一期的前提;交期决定 2027 产能 |
| HBM TC 键合 | 韩美半导体等 | TC 本德订单 430 亿韩元;渠道提及 Rubin 延迟 | MR-MUF 路线的核心设备,三星走混合键合是变量 |
| 探针卡 | FormFactor 等 | 份额 70–80%(待复核) | HBM 测试瓶颈,扩产同步 |
| 大连 NAND 二厂 | AMAT / Lam / KLA / TEL | 沿用一厂同代设备,+5 万片/月 | 受美国对华设备许可约束,是地缘风险的落点 |
| 中国渠道 | 香农芯创子公司 | 大陆云业务 HBM 独家一级代理(单源,待复核) | 中国客户供给满足率 40–70%,对比美系 CSP >80% |
ThirdBridge 前高管:约 2 倍而非 3 倍;部分卖方模型隐含 3 倍。差异对应 2027 年 HBM 营收约 30 万亿韩元。
专家电话 40–43%,卖方 62%,瑞银 bit 份额 51%→44%。份额每差 10 个点,2027 年营业利润差约 8–10%。
高盛把周期延到 2028,管理层说短缺到 2030 年底;ThirdBridge 提示 2028 年供过于求。见顶年份决定 7 倍 PE 该给哪一年。
伯恩斯坦归因 HBM4 / 1c 产品延迟(可修复);KIS 归因长协锁价与 HBM 占比高(结构性)。前者利多 3Q,后者压利润率天花板。
三年第 6 百分位;P/26E 5.27 倍(第 38 百分位);P/27E 3.93 倍(第 13 百分位)
FY25 / FY26 / FY27;FY26E EPS 约 35 万韩元,FY27E 约 47 万韩元;三个月内 FY26E 盈利上修 +10.7%、营收 +11.4%
自 2022-11-30 起算,n=538 → 判定 FAIR;PEG 0.01;EV/26E EBITDA 4.48 倍
美光前瞻 PE 高一倍:美股流动性、无韩国折价、无长协锁价疑虑。差距是折价还是错价,是 ADR 上市要回答的问题
| 情景 | 2027E EPS(万韩元) | PE 倍数 | 对应股价 | 前提 |
|---|---|---|---|---|
| 熊市:长协锁价 + 三星拿三成 | 30 | 4 倍 | 约 120 万 | HBM 价格 2027 持平,HBM4 份额 40%,2028 供过于求提前定价;利润率回到 55% |
| 基准:共识 | 47 | 5–6 倍 | 约 235–280 万 | HBM 2 倍、份额 50%、商品 DRAM 3Q 后涨幅收窄;回购持续;与摩根大通 275 万相近 |
| 牛市:周期延到 2028 | 55 | 6 倍 | 约 330 万 | HBM 3 倍、份额 60%、短缺到 2030;估值切换为“成长股”,与高盛 350 万 / 汇丰 370 万相近 |
| 主题 | 判断数 | 数字数 | 月度净方向(利多−利空) | 自动检出翻转 |
|---|---|---|---|---|
| HBM | 436 | 271 | 04月 +1 05月 +9 06月 +10 07月 +36 08月 +12 09月 +11 | — |
| DRAM 价格 | 214 | 148 | 04月 +13 05月 -5 06月 +2 07月 -8 08月 +10 09月 +6 | 2026-07→2026-08: 净方向 -8 → +10 |
| 产能 / capex | 202 | 240 | 04月 +2 05月 +0 06月 +6 07月 +2 08月 +5 09月 +15 | — |
| 客户 / 需求 | 181 | 220 | 04月 +12 05月 +0 06月 +6 07月 +16 08月 +2 09月 +7 | — |
| NAND | 128 | 149 | 04月 +10 05月 +0 06月 +7 07月 +9 08月 +12 09月 +6 | 2026-03→2026-04: 净方向 -1 → +10 |
| 竞争格局 | 100 | 109 | 04月 +3 05月 +1 06月 +2 07月 +8 08月 -1 09月 +3 | 2026-08→2026-09: 净方向 -1 → +3 |
| 技术 / 良率 | 24 | 35 | 03月 +1 04月 +0 06月 +1 07月 -2 08月 +0 09月 +0 | 2026-06→2026-07: 净方向 +1 → -2 |
| 财务 / 估值 | 16 | 43 | 03月 +2 04月 +1 06月 +2 07月 -3 08月 +0 09月 +0 | 2026-06→2026-07: 净方向 +2 → -3 |
| 阶段 | 主流说法 | 关键数字 | 篇 | 基调 |
|---|---|---|---|---|
| 2026-06 | 缺口量化且良率分化明确:海力士良率与散热最优,三星pin speed领先;HBM4单价跳升 | HBM缺口50-60%(2026),2027年30-40%… | 5 | 乐观 |
| 2026-07 | HBM4已量产发货、三家均过验证;焦点转为传统DRAM毛利反超HBM与封装成为总瓶颈 | HBM4于Q2开始大规模发货、HBM4E 2027年量产;… | 21 | 中性 |
| 2026-08 | 涨价进入谈判摩擦期:原厂要求不锁价、客户抵触,Q3新一代长协未签成;卖方下调FY27涨幅预期 | HBM3E 36GB Tier1价530美元(三星550)… | 7 | 中性 |
| 2026-09 | 公司口径重新转强:2026H2均价与利润率高于H1、2027继续涨;但三星代差缩至半年、客户已… | HBM挤占约60% DRAM产能;至少到2028年供给紧张… | 11 | 乐观 |
| 阶段 | 主流说法 | 关键数字 | 篇 | 基调 |
|---|---|---|---|---|
| 2026-06 | Q2全行业DRAM环比58-63%被视为环比涨幅高点;长协占产能六七成削弱现货价格弹性 | 2026Q2 DRAM环比+58-63%(另一口径60-7… | 3 | 中性 |
| 2026-07 | 上半年季度涨70-90%后转入收窄,Q3约36%、Q4 15-20%;存储占AI服务器成本20… | 1H26季度涨幅70-90%;2Q26合约价2.2-2.3… | 16 | 中性 |
| 2026-08 | Q3服务器DRAM +约20%基本落定,Q4 10-15%;2027年降价可能性不大、更可能横盘 | 3Q26服务器DRAM +约20%;4Q26 +10-15… | 6 | 中性 |
| 2026-09 | 绝对价高位、环比涨幅收敛至3%-8%;DDR4惜售缺货,服务器现货重回官价1.5倍溢价 | 4Q26 DRAM环比+3%-8%;当前涨幅2-3%;64… | 6 | 中性 |
| 阶段 | 主流说法 | 关键数字 | 篇 | 基调 |
|---|---|---|---|---|
| 2026-06 | 2026-27增量主要靠1b→1c制程升级,新建产能要2027H2至2028初落地,瓶颈在厂房… | 新建存储fab 100亿-200亿美元、建设1.5-2年、… | 6 | 乐观 |
| 2026-07 | capex大幅上行但先投厂房壳体,设备capex与真实产出要到2027年后,位元缺口结构性 | 单座10万片/月fab约200亿美元、壳体仅占20%、设备… | 21 | 乐观 |
| 2026-08 | 2026年不会有新增产能开出,长协覆盖六至七成产能,关键扩产决策点全在2027年 | 长协覆盖总产能60%-70%、预付款10%-40%;铠侠2… | 8 | 乐观 |
| 2026-09 | 现有厂接近满产、无洁净室余量;龙仁2027年2月投产但年底才出产,位元靠1c/321层迁移 | 龙仁2027年2月投产、产出2027年底才开始;某韩系同业… | 11 | 乐观 |
| 主题 | 专家之间仍不一致 | 据此盯什么 |
|---|---|---|
| HBM | 海力士HBM4份额:40-43%被追平 vs 仍60%+稳居第一;2027年HBM合约涨幅:<40% vs 60-70% vs 市场>5… | 2027年度HBM合约价谈定幅度(6-7月谈、年底…;三家合计HBM月产能是否达47.6万片 |
| DRAM 价格 | 4Q26涨幅:原厂口径10-15% vs 渠道口径3%-8%;拐点时点:2026年底趋缓(CSP采购侧)vs 2027H2(渠道)v… | 11月出炉的4Q26合约定价结果;64GB服务器条现货/官价溢价倍数 |
| 产能 / capex | 扩产瓶颈是厂房/洁净室,还是EUV等设备拿不到;2027年中释放17%-19%产能致价格下行,还是2027年无有效增量 | 龙仁2027年2月投产与首片实际产出时点;capex占收入比是否突破30% |
| 客户 / 需求 | 长协约束力:预付40%+NCNR锁死 vs 市价跌破底价20%即有违约…;紧缺成因:AI真实需求 vs 寡头控货+长交期导致的重复下单 | 中国CSP(字节/阿里/腾讯)长协是否在Q3-Q4…;服务器订单满足率能否从50-80%回升至80%以上 |
| NAND | 全球NAND产能基数:约200万片/月 vs 约130万片/月;缺口幅度:2027年3.3% vs 5个百分点 vs 2027H1近6% | 原厂NAND库存能否从1.5个月回升;4Q26企业级价是否到0.35-0.40美元/GB |
| # | 风险 | 机制 | 验证点 |
|---|---|---|---|
| 1 | 长协锁价压住 HBM 均价 | 约 10 家客户长协,2Q26 已因锁价低于预期 | 3Q26 HBM 均价环比;2027 谈判价 |
| 2 | 三星 HBM4 份额侵蚀 | 6 月出口反超、2Q HBM 收入 +89% | Rubin 平台三家份额是否走向 40 : 40 : 20 |
| 3 | 韩国市场流动性 | 杠杆 ETF 去化、外资撤退;两家占 KOSPI 四成 | 单日跌幅 >10% 的频率;ADR 溢价 |
| 4 | 汇率 | 韩元升值压 3Q 利润(摩根大通 09-09 预览) | 3Q26 营业利润与汇率敏感度 |
| 5 | ADR 溢价回落 | 溢价一度 51%,转换上限 2.5% 用尽 | ADR 占成交 10–20% 后溢价收敛 |
| 6 | 资本开支过度 | 54 万亿两座新厂 + 12 万亿 EUV + 美国封装 | 2027 capex 指引;FCF 是否仍 >150 万亿 |
| 7 | 2028 年供过于求 | 行业晶圆产能增速 2028 年 >10%;HBM 缺口收窄 | 2027 年中设备订单;三星 / 美光扩产 |
| 8 | 中国出口管制 | 无锡 DRAM 后段、大连 NAND 依赖美国设备许可 | 许可续期;大连二厂设备到位 |
| 9 | 消费端需求 | PC / 手机需求 −6% 至 −10%(涨价挤出) | 4Q26 移动 DRAM 合约价 |
| 10 | 价格二阶导 | 合约价涨幅 2Q +58–63% → 3Q +13–18% | 4Q26 合约价是否仍为正 |
股价破 100 万韩元;公司法修订 + KOSPI 反弹
03-09 恐慌单日 −11%;03-31 低点 80.7 万;EUV 订单 12 万亿
1Q26 营业利润 37.6 万亿、利润率 72%
06-18 HBM4E 送样;06-22 盘中新高 291.8 万;汇丰首评 400 万
07-10 ADR 募资 282 亿美元;KIS 下调利润率;07-30 低点 132.2 万(−55%)
08-07 两座新厂 54 万亿;08-19 回购 40 万亿;09-11 摩根大通 ADR 首评
KIS 07-13 把 2Q 利润率从约 80% 下调到 65%:HBM3E 占比高、长协锁价、现货涨幅放缓。伯恩斯坦归因产品延迟,KIS 归因结构性。
07-10 纳斯达克挂牌新发 1,779 万股、募资 282 亿美元;转换上限 2.5% 用尽后 ADR 溢价 51%,套利盘卖本地买 ADR。
韩股杠杆 ETF 强平 + 外资撤退,单日跌幅创纪录;三星 + 海力士占 KOSPI 约四成,被动盘放大。
这是真的超级周期,但海力士是周期里“份额从 70% 往下走”的那一家。4.3 倍前瞻 PE、AI 时代第 28 百分位,市场已按“2027 年见顶”定价,后面的上涨只能来自 FY27 EPS 继续上修与三星份额不及预期。建议持有、不追高;10 月 29 日财报前不加仓,回撤到 P/27E 3.3 倍以下(约 155 万韩元)再加。
三个月内 FY26E 盈利上修 +10.7%、营收 +11.4%,幅度已比美光收敛;RSI 59 中性;距一年高点 −38%;共识目标价隐含 +79%。
如果高盛对的,周期延到 2028、短缺到 2030 年底,那么 2027 年 EPS 55 万韩元、6 倍 PE 就是 330 万——现价不到 4 倍 P/27E,是三十年来最便宜的存储龙头。
低估了长协的锁价效应:2Q26 已经证明利润率天花板可能是 65% 而非 80%。如果 3Q26 HBM 均价环比不升,本文的基准情景就要按熊市重算。
| 时间 | 事件 | 看什么 |
|---|---|---|
| 10 月 29 日 | 3Q26 财报 | 营业利润是否 ≥65 万亿、HBM 均价环比、HBM4 占比、2027 capex 与需求指引 |
| 10 月下旬 | 股东回报细节 | 分红 / 回购拆分;是否按管理层口径 2025–27 累计 243–358 万亿 |
| 10 月 30 日 | 三星财报 | HBM 收入与 HBM4 出货;NVIDIA 份额口径 |
| 11 月 19 日前 | 40 万亿回购完成 | 日均买入量对本地股的托底;ADR 溢价变化 |
| 四季度 | 2027 年长协与合约价谈判 | HBM 2 倍还是 3 倍;服务器 DRAM 4Q 合约价是否仍为正 |
| 2H26 持续 | HBM4 在 Rubin 平台放量 | 三家份额是否走向 43 : 35 : 25 或 40 : 40 : 20;M15X 与 HBM 封装爬坡 |
| 年底 | 大连二厂设备到位、长鑫三厂进度 | 国产供给节奏与美国许可 |
| 券商 | 日期 | 评级 | 目标价 | 估值方法 / 要点 |
|---|---|---|---|---|
| 野村 | 2026-08 | 买入 | 470 万 | 自 234 万(04-01,长协论)大幅上调;与共识差距大,待复核原文 |
| Mirae | 2026-08 | 买入 | 420 万 → 280 万 | 数日内变动,待复核 |
| 汇丰 | 2026-08-22 | 买入 | 370 万 | 06-26 首评 400 万(ADR 溢价论),回购后微调 |
| KIS | 2026-07-13 | 买入 | 380 万 | 同日下调 2Q 利润率至 65%,触发回撤 |
| 高盛 | 2026-08-19 | 买入 | 350 万 | 06-01 上调至 350 万:周期延续至 2028 |
| 麦格理 | 2026-08-19 | 跑赢 | 340 万 | 自 400 万下调;管理层回报 243–358 万亿 |
| 伯恩斯坦 | 2026-07-30 | 跑赢 | 330 万 | 自 115 万(04-23)上调;2Q miss 归因产品延迟 |
| CGS | 2026-08 | 买入 | 330 万 | 回购后 |
| 花旗 | 2026-08-19 | 买入 | 310 万 | 3.3 倍 26E BVPS → 切换 PE;08 月一度 300 万 |
| 瑞银 | 2026-08-27 | 买入 | 300 万 / ADR 210 美元 | 首评 170 万(04-08,P/BV-ROE);回报占 26E FCF 约 30% |
| 美银 | 2026-08-19 | 买入 | 300 万 / ADR 250 美元 | 7 倍 26–27E PE;2026 FCF 约 170 万亿 |
| 券商 | 日期 | 评级 | 目标价 | 估值方法 / 要点 |
|---|---|---|---|---|
| 华泰 | 2026-08 | 买入 | 290 万 | 三星垂直一体化威胁;HBM4E 竞争 |
| 摩根大通 | 2026-08-06 | 超配 | 275 万 | 7 倍 F12M PE(自 8 倍下调);FY26–28E EPS 复合 26%;09-11 ADR 首评 245 美元 |
| 大摩 | 2026-07-29 | 超配 | 260 万 | 2Q 小幅低于预期后自 170 万上调;2025-01 曾 UW 15 万 |
| 华兴 | 2026-08 | 买入 | 204 万 | 光谱最低 |
| 巴克莱(ADR) | 2026-08 | 超配 | 300 美元 | 自 330 美元下调 |
| Cantor(ADR) | 2026-08 | 超配 | 300 美元 | ADR 首评 |
| Needham(ADR) | 2026-08-19 | 买入 | 220 美元 | 回购后自 200 美元上调 |
| 内部 IC memo | 2026-04 至 05 | 强烈买入 | 137 万 | L2 建议 80–95 万满仓;已达成 |
| 季度 | 报告日 | 营收 | 营业利润 | 利润率 | 备注 |
|---|---|---|---|---|---|
| 2016 年 | — | 17.2 | 3.3 | 19% | 上一轮低谷;净现金约 1 万亿 |
| 2018 年 | — | 40.4 | 20.8 | 52% | 上一轮峰值(待复核) |
| 2023 年 | — | 32.8 | −7.7 | 亏损 | 库存周期巨亏;HBM3 独供 H100 |
| 3Q25 | 2025-10 | 24.5 | 11.4 | 47% | 首次单季营业利润破 10 万亿;毛利率 57% |
| 4Q25 | 2026-01 | 32.8 | 19.2 | 59% | HBM 占 DRAM 营收 62% |
| 1Q26 | 2026-04-23 | 52.6 | 37.6 | 72% | +60% q/q;毛利率 79%;DRAM 位价 +60%、NAND +75% |
| 2Q26 | 2026-07 | 约 80(预期) | 预期 65 → 下调 | 约 65% | 创纪录但低于预期;约 10 家长协客户;实际值待复核 |
| 3Q26E | 2026-10-29 | 待复核 | 待复核 | — | Bloomberg 预估财报日;HBM4 放量 |
| 项目 | 口径 A | 口径 B | 本文处理 |
|---|---|---|---|
| 1Q26 营业利润 | 37.6 万亿(高盛 / 瑞银) | 38 万亿(野村 / Bloomberg 预估) | 正文 37.6,注差异 |
| ADR 募资 | 282 亿美元 / 1,779 万股 | 265 亿 / 280 亿 / 294 亿美元(45.45 万亿韩元) | 取 282 亿 |
| HBM 扩产 | +约 30%(ThirdBridge) | 翻倍至 8 万片/月(知识星球) | 取 +30%,8 万片待复核 |
| 龙仁投资 | 一期 21.6 万亿(至 2030) | 二期 35.2 万亿 + M17 19.1 万亿(至 2031)“54 万亿” | 分期,非冲突,注明 |
| 野村目标价 | 470 万 | 共识约 328 万 | 标异常值,待复核 |
| Mirae 目标价 | 420 万 | 280 万(数日内) | 待复核 |
| pt_table 日期 | 高盛 350 万标 2025-08-20 | 实为 2026-08 | 已纠正 |
| pt_table 他司 | 花旗 11 万、大摩 11.1–14.4 万、大摩 338 美元 / 1,400 欧元、摩根大通 1,700 新台币 | 为三星 / ASML / 台积电等目标价 | 已剔除 |
| 项目 | 口径 A | 口径 B | 本文处理 |
|---|---|---|---|
| HBM4 份额 | 43 : 35 : 25(Acecamp) | 40 : 40 : 20(CapVision)/ 62 : 17 : 21(卖方)/ 瑞银 bit 51% | 取 40–60% 区间 |
| HBM 策略 | 削减 HBM 释放通用 DRAM(Acecamp 05) | HBM4 按客户计划量产(公司 1Q26) | 并列 |
| Rubin 时点 | HBM4 主供 Rubin(瑞银) | 晶圆供给或推迟 Rubin(知识星球);韩美提 Rubin 延迟 | 并列 |
| HBM4 进度 | 海力士率先送样、领先(03-04) | 三星最快、海力士被要求重新设计(01-26 单源) | 采公司口径 |
| 2Q26 miss 归因 | 产品延迟 HBM4 / 1c(伯恩斯坦) | 长协锁价、HBM 占比高(KIS) | 并列 |
| HBM4 单价 | 约 560 美元(+50% 以上) | 伯恩斯坦:HBM4 均价持平至下降 | 并列 |